沈阳某半导基带芯片制造出厂，晶圆制造全过程中生成含硅、氟的唯一性工业废液，结构设计操作规模化1200吨/日。工业废液化学成分冗杂，富含微米级硅颗粒肥料及盐酸，傳統操作最简单的方法不可合格。 焦化废水基本成分及源头 一般感染物 ：橡胶胶体部分硅（100-500nm粒度）、氟阴离子（200-300mg/L）、异丙醇 的来源工艺流程 ：晶圆刻蚀化工废气（45%）、CMP无机化学自动化机械打磨抛光化工废气（40%）、生产设备清洁水（15%） 办理工序过程 研发用"耐腐蚀析出+特种工艺膜溶合"方法规划： 钙盐奠定 ：加药氯化钙洗去氟亚铁离子（绘制CaF2沉垫） 斜管沉淀池响应 ：复合型斜板沉淀池剂保证电解质溶液硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm直径膜截流微细颗粒肥料 反覆盖装置 ：脱盐率>98%，利用率75% 蒸发器晶粒 ：浓水段确保氟化物无废气排放量 最中使用效果 氟化物有机废气浓度：<8mg/L（如果低于地区一级通过成绩标准规定10mg/L） 硅含量：<5mg/L 水材料回收利用率：70%主要用于保压塔补水保湿 危险废物减量化：蒸馏残余物量较传统型生产技术极大减少60%